Продукція > DIOTEC > DI050N06D1
DI050N06D1

DI050N06D1 DIOTEC

4408129.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+29.36 грн
500+23.17 грн
1000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI050N06D1 DIOTEC

Description: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI050N06D1 за ціною від 18.60 грн до 80.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI050N06D1 DI050N06D1 Виробник : DIOTEC 4408129.pdf Description: DIOTEC - DI050N06D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.03 грн
26+32.84 грн
100+28.34 грн
500+22.61 грн
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.16 грн
11+38.14 грн
48+19.70 грн
130+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCA6A9E363F32140CE&compId=di050n06d1.pdf?ci_sign=b4612d5f733ac8ba60d6a2d629c8056ebae084c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 30A; Idm: 160A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.19 грн
10+47.52 грн
48+23.64 грн
130+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.64 грн
10+53.42 грн
100+32.05 грн
500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 150C, N
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.22 грн
10+61.85 грн
100+32.30 грн
500+31.92 грн
1000+30.94 грн
2500+27.38 грн
5000+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI050N06D1 DI050N06D1 Виробник : Diotec Semiconductor Description: MOSFET, DPAK, 60V, 50A, 0, 42W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.