DI050P03PT DIOTEC
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI050P03PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI050P03PT DIOTEC
Description: DIOTEC - DI050P03PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DI050P03PT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DI050P03PT | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
DI050P03PT | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DI050P03PT |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
Description: MOSFET POWERQFN 3X3 P -30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3721 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DI050P03PT |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, -30V, -50A, 150C, P
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.