Технічний опис DI065N08D1-AQ Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 62.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.
Інші пропозиції DI065N08D1-AQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
DI065N08D1-AQ | Diotec Semiconductor |
MOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 175C, AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
DI065N08D1-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
DI065N08D1-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DI065N08D1-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 175C, AEC-Q101
MOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 175C, AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DI065N08D1-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DI065N08D1-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




