Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI070P04PQ

DI070P04PQ Diotec Semiconductor

Name: DI070P04PQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 31832046-4
Price: 178100.00 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 5X6 P -40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DI070P04PQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 P -40V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7560 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 46W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції DI070P04PQ

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	DI070P04PQ	Виробник : Diotec Semiconductor	MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, -40V, -70A, 150C, P	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	DI070P04PQ	Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -300A; 46W; QFN5x6 Case: QFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -300A Drain current: -70A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 125nC On-state resistance: 6.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 46W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.