DI080N06PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 120.96 грн |
| 500+ | 99.93 грн |
| 1000+ | 85.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI080N06PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.8W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DI080N06PQ-AQ за ціною від 67.60 грн до 265.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DI080N06PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DI080N06PQ-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.8W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DI080N06PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
DI080N06PQ-AQ |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DI080N06PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
N-Channel Power MOSFET AEC-Q |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
DI080N06PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin QFN EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DI080N06PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DI080N06PQ-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N, AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DI080N06PQ-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 80A; Idm: 480A; 65.8W; QFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 80A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 65.8W Case: QFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |