Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI080N06PQ-AQ
DI080N06PQ-AQ

DI080N06PQ-AQ Diotec Semiconductor

di080n06pq.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.44 грн
10+124.24 грн
50+94.96 грн
100+80.25 грн
500+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI080N06PQ-AQ Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 65.8W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Інші пропозиції DI080N06PQ-AQ за ціною від 78.24 грн до 149.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR 4408134.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR 4408134.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ Diotec Semiconductor di080n06pq.pdf DI080N06PQ-AQ
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+149.97 грн
250+127.59 грн
500+98.82 грн
1250+87.74 грн
2500+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ 4408134.pdf
DI080N06PQ-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ 4408134.pdf
DI080N06PQ-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 3000 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ di080n06pq.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
DI080N06PQ-AQ
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+149.97 грн
250+127.59 грн
500+98.82 грн
1250+87.74 грн
2500+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.