Продукція > DIOTEC > DI080N06PQ-AQ
DI080N06PQ-AQ

DI080N06PQ-AQ DIOTEC

4408134.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 0.003 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.68 грн
500+101.64 грн
1000+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI080N06PQ-AQ DIOTEC

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI080N06PQ-AQ за ціною від 54.73 грн до 271.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di080n06pq.pdf Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.65 грн
10+123.55 грн
100+84.73 грн
500+63.94 грн
1000+58.93 грн
2000+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ Виробник : DIOTEC 4408134.pdf Description: DIOTEC - DI080N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 105 A, 0.003 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.53 грн
10+194.32 грн
100+130.68 грн
500+101.64 грн
1000+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di080n06pq.pdf DI080N06PQ-AQ
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+128.85 грн
250+109.62 грн
500+84.90 грн
1250+75.38 грн
2500+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di080n06pq.pdf N-Channel Power MOSFET AEC-Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di080n06pq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 8-Pin QFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di080n06pq.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 80A; Idm: 480A; 65.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 65.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di080n06pq.pdf Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4128 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di080n06pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 65V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI080N06PQ-AQ DI080N06PQ-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di080n06pq.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 80A; Idm: 480A; 65.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 65.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.