Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI0A35N06PGK-AQ
DI0A35N06PGK-AQ

DI0A35N06PGK-AQ Diotec Semiconductor

di0a35n06pgk.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI0A35N06PGK-AQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 223mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1006-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI0A35N06PGK-AQ за ціною від 2.18 грн до 16.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI0A35N06PGK-AQ DI0A35N06PGK-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di0a35n06pgk.pdf Description: MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.48 грн
36+8.86 грн
100+5.68 грн
500+3.75 грн
1000+3.30 грн
2000+2.92 грн
5000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK-AQ DI0A35N06PGK-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di0a35n06pgk.pdf MOSFETs MOSFET, DFN1006-3, 60V, 0.35A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 9764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.61 грн
35+10.05 грн
100+5.50 грн
500+3.99 грн
1000+3.16 грн
2500+2.71 грн
10000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95B07AEE22ADE0D6&compId=di0a35n06pgk.pdf?ci_sign=87c60cea74f6dd823554c2554e850f843d3fedaf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.