Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI0A35N06PGK
DI0A35N06PGK

DI0A35N06PGK Diotec Semiconductor

di0a35n06pgk.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA SC-101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI0A35N06PGK Diotec Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.35A, Pulsed drain current: 1.2A, Power dissipation: 223mW, Case: DFN1006-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1.9nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції DI0A35N06PGK

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI0A35N06PGK DI0A35N06PGK Diotec Semiconductor di0a35n06pgk.pdf MOSFETs DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK DIOTEC SEMICONDUCTOR di0a35n06pgk.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK di0a35n06pgk.pdf
DI0A35N06PGK
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4?, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI0A35N06PGK di0a35n06pgk.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.