Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI100N10PQ-AQ
DI100N10PQ-AQ

DI100N10PQ-AQ Diotec Semiconductor

di100n10pq.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI100N10PQ-AQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI100N10PQ-AQ за ціною від 63.37 грн до 328.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI100N10PQ-AQ DI100N10PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.41 грн
10+125.24 грн
100+89.81 грн
500+69.56 грн
1000+64.76 грн
2000+63.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQ DI100N10PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.58 грн
10+253.47 грн
100+131.63 грн
500+130.87 грн
1000+126.28 грн
2500+111.74 грн
5000+105.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250WAutomotive AEC-Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di100n10pq.pdf DI100N10PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.