Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI100N10PQ-AQ
DI100N10PQ-AQ

DI100N10PQ-AQ Diotec Semiconductor

di100n10pq.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI100N10PQ-AQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI100N10PQ-AQ за ціною від 62.61 грн до 281.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI100N10PQ-AQ DI100N10PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.13 грн
10+123.74 грн
100+88.73 грн
500+68.72 грн
1000+63.98 грн
2000+62.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQ DI100N10PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.41 грн
10+218.26 грн
100+114.18 грн
500+106.62 грн
1000+99.81 грн
5000+75.46 грн
10000+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250WAutomotive AEC-Q101 qualification
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C2F0C327DAA0D6&compId=di100n10pq.pdf?ci_sign=933fe1e85e2c835d9ee5634488f254320efed44f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C2F0C327DAA0D6&compId=di100n10pq.pdf?ci_sign=933fe1e85e2c835d9ee5634488f254320efed44f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.