Продукція > DIOTEC > DI100N10PQ
DI100N10PQ

DI100N10PQ DIOTEC

4408137.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.16 грн
10+99.03 грн
100+85.83 грн
500+68.43 грн
1000+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI100N10PQ DIOTEC

Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DI100N10PQ за ціною від 47.79 грн до 177.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI100N10PQ DI100N10PQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C2F0C327DAA0D6&compId=di100n10pq.pdf?ci_sign=933fe1e85e2c835d9ee5634488f254320efed44f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.79 грн
10+89.66 грн
16+58.24 грн
43+55.18 грн
500+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ DI100N10PQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C2F0C327DAA0D6&compId=di100n10pq.pdf?ci_sign=933fe1e85e2c835d9ee5634488f254320efed44f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Case: QFN5x6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+148.55 грн
10+111.73 грн
16+69.89 грн
43+66.21 грн
500+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ DI100N10PQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.93 грн
10+109.98 грн
100+67.98 грн
500+55.76 грн
1000+49.29 грн
5000+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ DI100N10PQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.47 грн
10+109.74 грн
100+74.77 грн
500+56.11 грн
1000+51.59 грн
2000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ DI100N10PQ Виробник : Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.