DI100N10PQ DIOTEC
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 79.41 грн |
| 500+ | 58.90 грн |
| 1000+ | 46.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI100N10PQ DIOTEC
Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DI100N10PQ за ціною від 44.03 грн до 175.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DI100N10PQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 75nC On-state resistance: 6.6mΩ Power dissipation: 60W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 480A Case: QFN5x6 |
на замовлення 4364 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI100N10PQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N |
на замовлення 2508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DI100N10PQ | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI100N10PQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI100N10PQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V |
на замовлення 4792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DI100N10PQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
DI100N10PQ |
на замовлення 4536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DI100N10PQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |