Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI100N10PQ
DI100N10PQ

DI100N10PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di100n10pq.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 60W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.92 грн
10+102.43 грн
100+71.11 грн
250+62.64 грн
500+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI100N10PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DI100N10PQ за ціною від 44.45 грн до 181.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI100N10PQ DI100N10PQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.40 грн
10+118.89 грн
100+71.03 грн
500+56.89 грн
1000+52.60 грн
2500+45.36 грн
5000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ DI100N10PQ Diotec Semiconductor di100n10pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.18 грн
10+111.92 грн
100+76.54 грн
500+57.61 грн
1000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ di100n10pq.pdf
DI100N10PQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.40 грн
10+118.89 грн
100+71.03 грн
500+56.89 грн
1000+52.60 грн
2500+45.36 грн
5000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI100N10PQ di100n10pq.pdf
DI100N10PQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.18 грн
10+111.92 грн
100+76.54 грн
500+57.61 грн
1000+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.