DI110N03PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR


di110n03pq.pdf Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI110N03PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI110N03PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI110N03PQ-AQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI110N03PQ-AQ DI110N03PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di110n03pq.pdf Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N03PQ-AQ DI110N03PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di110n03pq.pdf MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.