DI110N03PQ Diotec Semiconductor
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 161.95 грн |
| 10+ | 124.64 грн |
| 100+ | 65.18 грн |
| 500+ | 64.58 грн |
| 1000+ | 62.51 грн |
| 2500+ | 55.23 грн |
| 5000+ | 35.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI110N03PQ Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DI110N03PQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DI110N03PQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 DI110N03PQ-DIO SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
DI110N03PQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET POWERQFN 5X6 N 30V Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |