Продукція > DIOTEC > DI110N04PQ-AQ
DI110N04PQ-AQ

DI110N04PQ-AQ DIOTEC

di110n04pq.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.91 грн
500+32.72 грн
1000+25.75 грн
5000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI110N04PQ-AQ DIOTEC

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI110N04PQ-AQ за ціною від 23.77 грн до 95.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di110n04pq.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.74 грн
10+55.94 грн
100+38.97 грн
500+29.39 грн
1000+27.03 грн
2000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ Виробник : DIOTEC di110n04pq.pdf Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.08 грн
14+62.97 грн
100+43.91 грн
500+32.72 грн
1000+25.75 грн
5000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di110n04pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
10+62.86 грн
100+38.11 грн
500+30.60 грн
1000+26.04 грн
5000+24.06 грн
10000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di110n04pq.pdf N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di110n04pq.pdf DI110N04PQ-AQ-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di110n04pq.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.