Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI110N04PQ-AQ
DI110N04PQ-AQ

DI110N04PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

di110n04pq.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.64 грн
10+50.87 грн
33+28.95 грн
90+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI110N04PQ-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI110N04PQ-AQ за ціною від 24.55 грн до 115.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ Diotec Semiconductor di110n04pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+101.76 грн
10+58.92 грн
100+40.68 грн
500+35.91 грн
2500+29.02 грн
5000+27.27 грн
10000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ Diotec Semiconductor di110n04pq.pdf Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.95 грн
10+70.94 грн
50+53.09 грн
100+44.42 грн
500+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ DIOTEC di110n04pq.pdf Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ DI110N04PQ-AQ DIOTEC di110n04pq.pdf Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ di110n04pq.pdf
DI110N04PQ-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+101.76 грн
10+58.92 грн
100+40.68 грн
500+35.91 грн
2500+29.02 грн
5000+27.27 грн
10000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ di110n04pq.pdf
DI110N04PQ-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.95 грн
10+70.94 грн
50+53.09 грн
100+44.42 грн
500+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ di110n04pq.pdf
DI110N04PQ-AQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N04PQ-AQ di110n04pq.pdf
DI110N04PQ-AQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI110N04PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0025 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.