Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI110N06D1

DI110N06D1 Diotec Semiconductor

Name: DI110N06D1
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 79815954-3
Price: 445.08 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	222.54 грн
10+	139.09 грн
100+	96.22 грн
500+	75.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DI110N06D1 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DI110N06D1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DI110N06D1	Виробник : Diotec Semiconductor	Description: MOSFET DPAK N 65V 0.0032OHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DI110N06D1	Виробник : Diotec Semiconductor	MOSFETs MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DI110N06D1	Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 70A; Idm: 550A; 71W Mounting: SMD Case: DPAK; TO252AA On-state resistance: 4.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 71W Drain-source voltage: 65V Pulsed drain current: 550A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 75nC Drain current: 70A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.