Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI110N06D2
DI110N06D2

DI110N06D2 Diotec Semiconductor

di110n06d2.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.23 грн
10+126.48 грн
100+87.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI110N06D2 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DI110N06D2 за ціною від 54.58 грн до 221.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI110N06D2 DI110N06D2 Виробник : Diotec Semiconductor di110n06d2.pdf MOSFETs MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.90 грн
10+172.31 грн
100+90.05 грн
800+58.92 грн
2400+55.59 грн
4800+54.73 грн
9600+54.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2 Виробник : Diotec Semiconductor di110n06d2.pdf MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A, 0.0032
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2 DI110N06D2 Виробник : Diotec Semiconductor di110n06d2.pdf Description: MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI110N06D2 DI110N06D2 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di110n06d2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 480A; 62.5W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 480A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Drain current: 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.