Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI114N06PQ
DI114N06PQ

DI114N06PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83E83C9015EAA0D5&compId=di114n06pq.pdf?ci_sign=7a24353d7aa1261447708b58d921e27fdd632ff3 Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.82 грн
5+97.47 грн
13+74.67 грн
35+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI114N06PQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: IC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DI114N06PQ за ціною від 84.89 грн до 140.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI114N06PQ DI114N06PQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83E83C9015EAA0D5&compId=di114n06pq.pdf?ci_sign=7a24353d7aa1261447708b58d921e27fdd632ff3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.18 грн
5+121.46 грн
13+89.61 грн
35+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQ Виробник : Diotec Semiconductor DI114N06PQ
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+121.00 грн
112+109.58 грн
500+102.74 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
DI114N06PQ DI114N06PQ Виробник : Diotec Semiconductor Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.