Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI200N04PQ
DI200N04PQ

DI200N04PQ Diotec Semiconductor

di200n04pq.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI200N04PQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції DI200N04PQ за ціною від 76.76 грн до 220.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI200N04PQ DI200N04PQ Diotec Semiconductor di200n04pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.07 грн
10+137.82 грн
100+95.78 грн
500+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQ DI200N04PQ Diotec Semiconductor di200n04pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQ di200n04pq.pdf
DI200N04PQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.07 грн
10+137.82 грн
100+95.78 грн
500+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQ di200n04pq.pdf
DI200N04PQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.