DI200N04PQ Diotec Semiconductor
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.49 грн |
| 10+ | 150.43 грн |
| 100+ | 104.35 грн |
| 500+ | 88.47 грн |
| 1000+ | 71.00 грн |
| 5000+ | 68.20 грн |
| 10000+ | 65.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI200N04PQ Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 800A; 180W; QFN5x6, Case: QFN5x6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 800A, Drain current: 165A, Drain-source voltage: 40V, Gate charge: 92nC, On-state resistance: 1.3mΩ, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 180W, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DI200N04PQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DI200N04PQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 800A; 180W; QFN5x6 Case: QFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 800A Drain current: 165A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 92nC On-state resistance: 1.3mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 180W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| DI200N04PQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 800A; 180W; QFN5x6 Case: QFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 800A Drain current: 165A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 92nC On-state resistance: 1.3mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 180W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |