Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI200N04PQ
DI200N04PQ

DI200N04PQ Diotec Semiconductor

di200n04pq.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+75.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI200N04PQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-QFN (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI200N04PQ за ціною від 67.69 грн до 237.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI200N04PQ DI200N04PQ Виробник : Diotec Semiconductor di200n04pq.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.27 грн
10+139.83 грн
100+88.29 грн
500+84.42 грн
5000+68.62 грн
10000+67.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQ DI200N04PQ Виробник : Diotec Semiconductor di200n04pq.pdf Description: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5768 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.93 грн
10+149.01 грн
100+103.55 грн
500+82.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N04PQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3875AC98880D6&compId=di200n04pq.pdf?ci_sign=9f641b212d3ecb9a53ba8d6e5d14c011862d4df8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 800A; 180W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 180W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.