Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI200N10D2
DI200N10D2

DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR

di200n10d2.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+119.20 грн
500+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 340W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції DI200N10D2 за ціною від 69.72 грн до 259.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI200N10D2 DI200N10D2 Diotec Semiconductor di200n10d2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
10+114.20 грн
25+104.25 грн
100+87.61 грн
250+82.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2 DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR di200n10d2.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.62 грн
10+157.86 грн
100+119.20 грн
500+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2 DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR di200n10d2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.88 грн
10+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2 DI200N10D2 Diotec Semiconductor di200n10d2.pdf MOSFETs
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+116.70 грн
100+82.15 грн
800+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2 di200n10d2.pdf
DI200N10D2
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO-263-3
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.99 грн
10+114.20 грн
25+104.25 грн
100+87.61 грн
250+82.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2 di200n10d2.pdf
DI200N10D2
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+241.62 грн
10+157.86 грн
100+119.20 грн
500+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2 di200n10d2.pdf
DI200N10D2
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.88 грн
10+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2 di200n10d2.pdf
DI200N10D2
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.34 грн
10+116.70 грн
100+82.15 грн
800+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.