Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI200N10D2
DI200N10D2

DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7E65BB6BCEC80D6&compId=di200n10d2.pdf?ci_sign=63b213b775125054d11eb9630407dd00537eec30 Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.10 грн
10+139.13 грн
13+77.03 грн
34+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET D2PAK N 100V 200A, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DI200N10D2 за ціною від 83.95 грн до 277.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI200N10D2 DI200N10D2 Виробник : Diotec Semiconductor di200n10d2.pdf Description: MOSFET D2PAK N 100V 200A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 50 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.68 грн
10+159.41 грн
100+110.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI200N10D2 DI200N10D2 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7E65BB6BCEC80D6&compId=di200n10d2.pdf?ci_sign=63b213b775125054d11eb9630407dd00537eec30 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.32 грн
10+173.38 грн
13+92.44 грн
34+86.78 грн
1600+85.84 грн
2400+83.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.