DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 216.85 грн |
| 10+ | 132.62 грн |
| 100+ | 97.85 грн |
| 200+ | 88.95 грн |
| 250+ | 85.72 грн |
| 400+ | 80.87 грн |
| 500+ | 78.44 грн |
| 800+ | 75.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DI200N10D2 за ціною від 94.13 грн до 290.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DI200N10D2 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 185A Pulsed drain current: 950A Power dissipation: 340W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 262nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 852 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI200N10D2 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET D2PAK N 100V 200A Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 50 V |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI200N10D2 | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI200N10D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|