
DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 950A
Power dissipation: 340W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 262nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 227.34 грн |
10+ | 136.87 грн |
13+ | 75.78 грн |
34+ | 71.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI200N10D2 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET D2PAK N 100V 200A, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DI200N10D2 за ціною від 82.59 грн до 272.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DI200N10D2 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 262 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16800 pF @ 50 V |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DI200N10D2 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 185A; Idm: 950A; 340W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 185A Pulsed drain current: 950A Power dissipation: 340W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 262nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|