DI2579N DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 15...30
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 15.42 грн |
| 33+ | 12.17 грн |
| 100+ | 10.58 грн |
| 2000+ | 8.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI2579N DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DI2579N за ціною від 9.62 грн до 38.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DI2579N | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DI2579N | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 700V Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 15...30 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI2579N | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DI2579N | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN |
на замовлення 3029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DI2579N | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DI2579N | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 400V 1A SOT-223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.25 W |
товару немає в наявності |