Технічний опис DI2579N Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DI2579N за ціною від 10.84 грн до 68.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DI2579N | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI2579N | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 400V 1A SOT-223Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI2579N | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DI2579N | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 400V 1A SOT-223Packaging: Strip Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 4971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DI2579N |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 45.75 грн |
| 12+ | 27.15 грн |
| 100+ | 15.81 грн |
| 500+ | 14.70 грн |
| 1000+ | 13.32 грн |
| 2000+ | 12.36 грн |
| 4000+ | 10.84 грн |
| DI2579N |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.82 грн |
| 11+ | 27.75 грн |
| 100+ | 17.76 грн |
| 500+ | 12.64 грн |
| 1000+ | 11.34 грн |
| DI2579N |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI2579N - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 1 A, 1.25 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 50.50 грн |
| 27+ | 30.44 грн |
| 100+ | 20.38 грн |
| 500+ | 17.65 грн |
| 1000+ | 14.70 грн |
| DI2579N |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Strip
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 400V 1A SOT-223
Packaging: Strip
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.34 грн |
| 10+ | 41.28 грн |
| 100+ | 26.95 грн |
| 500+ | 19.48 грн |
| 1000+ | 17.61 грн |
| 2000+ | 16.04 грн |






