DI280N10TL Diotec Semiconductor
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 314.60 грн |
| 10+ | 211.48 грн |
| 100+ | 130.58 грн |
| 500+ | 125.17 грн |
| 2000+ | 99.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI280N10TL Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 425W, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DI280N10TL за ціною від 130.76 грн до 333.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DI280N10TL | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 425mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DI280N10TL | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DI280N10TL | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 425W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DI280N10TL | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 150C, N |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
DI280N10TL | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 425mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DI280N10TL | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1.2kA; 425W; HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 194A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 425W Case: HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |