Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI280N10TL
DI280N10TL

DI280N10TL DIOTEC SEMICONDUCTOR

di280n10tl.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+148.19 грн
500+121.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI280N10TL DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, Verlustleistung: 425W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції DI280N10TL за ціною від 108.38 грн до 368.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI280N10TL DI280N10TL Diotec Semiconductor di280n10tl.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.76 грн
10+199.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TL DI280N10TL DIOTEC SEMICONDUCTOR di280n10tl.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 425W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.11 грн
10+215.04 грн
100+148.19 грн
500+121.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TL DI280N10TL Diotec Semiconductor di280n10tl.pdf MOSFETs MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.87 грн
10+254.05 грн
100+154.64 грн
500+133.93 грн
1000+125.64 грн
2000+111.84 грн
4000+108.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TL di280n10tl.pdf
DI280N10TL
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 280A 8-POWERSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.76 грн
10+199.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TL di280n10tl.pdf
DI280N10TL
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI280N10TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
Verlustleistung: 425W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+314.11 грн
10+215.04 грн
100+148.19 грн
500+121.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI280N10TL di280n10tl.pdf
DI280N10TL
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N
на замовлення 4284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+368.87 грн
10+254.05 грн
100+154.64 грн
500+133.93 грн
1000+125.64 грн
2000+111.84 грн
4000+108.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.