Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI300N10TL-AQ
DI300N10TL-AQ

DI300N10TL-AQ Diotec Semiconductor

di300n10tl.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8-POWERSFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 277.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+174.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI300N10TL-AQ Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI300N10TL-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 277.7W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Інші пропозиції DI300N10TL-AQ за ціною від 192.77 грн до 473.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI300N10TL-AQ DI300N10TL-AQ Diotec Semiconductor di300n10tl.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8-POWERSFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 277.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.91 грн
10+306.19 грн
50+241.78 грн
100+207.44 грн
500+192.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI300N10TL-AQ DI300N10TL-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR di300n10tl.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI300N10TL-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 277.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI300N10TL-AQ di300n10tl.pdf
DI300N10TL-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8-POWERSFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10622 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 277.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.91 грн
10+306.19 грн
50+241.78 грн
100+207.44 грн
500+192.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DI300N10TL-AQ di300n10tl.pdf
DI300N10TL-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI300N10TL-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 277.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.