Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI4A7P06SQ2
DI4A7P06SQ2

DI4A7P06SQ2 Diotec Semiconductor

di4a7p06sq2.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI4A7P06SQ2 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI4A7P06SQ2 за ціною від 19.09 грн до 87.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI4A7P06SQ2 DI4A7P06SQ2 Виробник : Diotec Semiconductor di4a7p06sq2.pdf Description: MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.71 грн
10+46.44 грн
100+32.12 грн
500+25.19 грн
1000+21.44 грн
2000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI4A7P06SQ2 DI4A7P06SQ2 Виробник : Diotec Semiconductor di4a7p06sq2.pdf MOSFETs MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C, P
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.55 грн
10+67.85 грн
100+35.39 грн
500+35.02 грн
1000+33.91 грн
2000+30.02 грн
4000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI4A7P06SQ2 Виробник : Diotec Semiconductor di4a7p06sq2.pdf SMD MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI4A7P06SQ2 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR di4a7p06sq2.pdf DI4A7P06SQ2-DIO Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.