DI4A7P06SQ2 Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.14 грн |
| 10+ | 54.87 грн |
| 50+ | 40.70 грн |
| 100+ | 33.90 грн |
| 500+ | 26.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI4A7P06SQ2 Diotec Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.7A 8SO, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 3W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DI4A7P06SQ2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DI4A7P06SQ2 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C, P |
на замовлення 3936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DI4A7P06SQ2 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C, P
MOSFETs MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C, P
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)