DI4A7P06SQ2 Diotec Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 86.02 грн |
| 10+ | 45.86 грн |
| 100+ | 34.46 грн |
| 500+ | 27.54 грн |
| 1000+ | 25.96 грн |
| 2000+ | 18.88 грн |
| 4000+ | 18.81 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI4A7P06SQ2 Diotec Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DI4A7P06SQ2 за ціною від 27.09 грн до 92.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DI4A7P06SQ2 | Diotec Semiconductor |
 Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.7A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DI4A7P06SQ2 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.84 грн |
| 10+ | 56.39 грн |
| 50+ | 41.83 грн |
| 100+ | 34.84 грн |
| 500+ | 27.09 грн |