Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI5A7N65D1K-AQ
DI5A7N65D1K-AQ

DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor

di5a7n65d1k.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.94 грн
10+110.13 грн
100+74.82 грн
500+57.20 грн
1000+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI5A7N65D1K-AQ за ціною від 46.67 грн до 187.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.10 грн
10+119.75 грн
100+70.61 грн
500+58.30 грн
2500+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Виробник : Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf Description: MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI5A7N65D1K-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C381BE5BB2A0D6&compId=di5a7n65d1k.pdf?ci_sign=7e05c147c9d9dc3e32460f0c32538817a6d5152d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.