Технічний опис DI5A7N65D1K Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 3.6A, Case: DPAK; TO252AA, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.43Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 18.4nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 25A, Power dissipation: 36W, Version: ESD, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції DI5A7N65D1K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DI5A7N65D1K | Diotec Semiconductor |
 MOSFETs DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43?, 150C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
DI5A7N65D1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.6A Case: DPAK; TO252AA Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 36W Version: ESD Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DI5A7N65D1K |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43?, 150C
MOSFETs DPAK, N, 650V, 5.7A, 0.43?, 150C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DI5A7N65D1K |
|
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 25A; 36W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.