DI7A6N04SQ2 Diotec Semiconductor
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.5 грн |
| 10+ | 64.47 грн |
| 100+ | 46.17 грн |
| 500+ | 40.39 грн |
| 1000+ | 34.54 грн |
| 4000+ | 22.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI7A6N04SQ2 Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.6A; Idm: 50A; 3.1W; SO8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 7.6A, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 3.1W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 32mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DI7A6N04SQ2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DI7A6N04SQ2 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.6A; Idm: 50A; 3.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DI7A6N04SQ2 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.6A; Idm: 50A; 3.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |