DI7A6N04SQ2

DI7A6N04SQ2 Diotec Semiconductor


di7a6n04sq2.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.17 грн
12+28.08 грн
100+17.98 грн
500+12.78 грн
1000+11.46 грн
2000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI7A6N04SQ2 Diotec Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI7A6N04SQ2 за ціною від 22.52 грн до 69.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI7A6N04SQ2 DI7A6N04SQ2 Виробник : Diotec Semiconductor di7a6n04sq2.pdf MOSFET MOSFET, SO-8, 40V, 7.6A, 150C, N
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.65 грн
10+54.07 грн
100+28.15 грн
500+27.91 грн
1000+27.04 грн
2000+23.86 грн
4000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A6N04SQ2 DI7A6N04SQ2 Виробник : Diotec Semiconductor di7a6n04sq2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.