Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI7A6N10SQ
DI7A6N10SQ

DI7A6N10SQ Diotec Semiconductor

di7a6n10sq.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.66 грн
10+50.09 грн
100+33.02 грн
500+24.11 грн
1000+21.90 грн
2000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI7A6N10SQ Diotec Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI7A6N10SQ за ціною від 18.78 грн до 86.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DI7A6N10SQ DI7A6N10SQ Diotec Semiconductor di7a6n10sq.pdf MOSFETs MOSFET, SO-8, 100V, 7.6A, 150C, N
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+86.09 грн
10+45.75 грн
100+34.38 грн
500+27.51 грн
2000+24.33 грн
4000+21.00 грн
8000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A6N10SQ DI7A6N10SQ DIOTEC 4408140.pdf Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A6N10SQ DI7A6N10SQ DIOTEC 4408140.pdf Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A6N10SQ di7a6n10sq.pdf
DI7A6N10SQ
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, SO-8, 100V, 7.6A, 150C, N
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.09 грн
10+45.75 грн
100+34.38 грн
500+27.51 грн
2000+24.33 грн
4000+21.00 грн
8000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A6N10SQ 4408140.pdf
DI7A6N10SQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A6N10SQ 4408140.pdf
DI7A6N10SQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.