DI7A6N10SQ Diotec Semiconductor
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.05 грн |
| 10+ | 61.11 грн |
| 100+ | 31.88 грн |
| 500+ | 31.55 грн |
| 1000+ | 30.56 грн |
| 2000+ | 26.97 грн |
| 4000+ | 25.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DI7A6N10SQ Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.6A; Idm: 200A; 2.5W; SO8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 7.6A, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 2.5W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 28mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 22nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DI7A6N10SQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DI7A6N10SQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.6A; Idm: 200A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| DI7A6N10SQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.6A; Idm: 200A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |