Продукція > DIOTEC > DI7A6N10SQ
DI7A6N10SQ

DI7A6N10SQ DIOTEC

4408140.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+31.98 грн
500+25.26 грн
1000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI7A6N10SQ DIOTEC

Description: MOSFET SO8 N 100V 0.02OHM 150C, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DI7A6N10SQ за ціною від 18.09 грн до 88.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI7A6N10SQ DI7A6N10SQ Виробник : DIOTEC 4408140.pdf Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.10 грн
24+35.74 грн
100+30.87 грн
500+24.63 грн
1000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A6N10SQ DI7A6N10SQ Виробник : Diotec Semiconductor di7a6n10sq.pdf MOSFETs MOSFET, SO-8, 100V, 7.6A, 150C, N
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.89 грн
10+51.23 грн
100+30.11 грн
500+25.47 грн
1000+23.11 грн
2000+21.97 грн
4000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A6N10SQ DI7A6N10SQ Виробник : Diotec Semiconductor di7a6n10sq.pdf Description: MOSFET SO8 N 100V 0.02OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.82 грн
10+53.77 грн
100+35.46 грн
500+25.90 грн
1000+23.52 грн
2000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A6N10SQ DI7A6N10SQ Виробник : Diotec Semiconductor di7a6n10sq.pdf Description: MOSFET SO8 N 100V 0.02OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DI7A6N10SQ DI7A6N10SQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7E69971C1C2A0D6&compId=di7a6n10sq.pdf?ci_sign=ca735bb6a817e3031541f1976d61927e2b5a653c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.6A; Idm: 200A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 2.5W
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.