Продукція > DIOTEC > DIF065SIC020
DIF065SIC020

DIF065SIC020 DIOTEC


4397178.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7272.40 грн
5+6479.31 грн
10+5686.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIF065SIC020 DIOTEC

Description: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DIF065SIC020 за ціною від 1495.89 грн до 7526.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIF065SIC020 DIF065SIC020 Виробник : Diotec Semiconductor SiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7526.39 грн
10+5800.41 грн
120+3025.12 грн
510+2994.96 грн
1020+2900.79 грн
2520+2564.59 грн
5010+2411.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94FDB1E6C84820D6&compId=dif065sic020.pdf?ci_sign=5e19c74d62c333a2b238d400859a806a4f066360 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1704.21 грн
2+1495.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF065SIC020 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94FDB1E6C84820D6&compId=dif065sic020.pdf?ci_sign=5e19c74d62c333a2b238d400859a806a4f066360 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2045.05 грн
2+1864.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.