DIF065SIC020 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 16mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Gate charge: 236nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2138.49 грн |
| 5+ | 1720.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIF065SIC020 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W, Case: TO247-4, Mounting: THT, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -5...18V, Kind of package: tube, On-state resistance: 16mΩ, Pulsed drain current: 300A, Power dissipation: 550W, Gate charge: 236nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 100A, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DIF065SIC020
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DIF065SIC020 | Diotec Semiconductor | SiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175DegC |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DIF065SIC020 |
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175DegC
SiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175DegC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)