DIF065SIC020 DIOTEC
Виробник: DIOTECDescription: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2228.21 грн |
| 5+ | 2091.87 грн |
| 10+ | 1925.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIF065SIC020 DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DIF065SIC020 за ціною від 1546.64 грн до 7490.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIF065SIC020 | Виробник : Diotec Semiconductor | SiC MOSFETs 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DIF065SIC020 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 550W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 236nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 300A |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DIF065SIC020 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Mounting: THT Case: TO247-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 550W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 236nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|