DIF065SIC030 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 145nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 105A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1551.13 грн |
| 5+ | 1321.41 грн |
| 10+ | 1206.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIF065SIC030 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DIF065SIC030 за ціною від 1237.83 грн до 4867.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DIF065SIC030 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4 Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SiC Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...18V Gate charge: 145nC On-state resistance: 30mΩ Drain-source voltage: 650V Drain current: 74A Pulsed drain current: 105A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DIF065SIC030 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|