DIF065SIC030 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Case: TO247-4
Mounting: THT
Pulsed drain current: 105A
Gate charge: 145nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 74A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 30mΩ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1170.50 грн |
| 3+ | 1028.30 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIF065SIC030 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Інші пропозиції DIF065SIC030 за ціною від 780.14 грн до 2575.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIF065SIC030 | Diotec Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 650V 105A TO-247-4 |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DIF065SIC030 | Diotec Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V TO-47-4L, N, 105A, 650V, 0m?, 175C |
на замовлення 450 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DIF065SIC030 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DIF065SIC030 | Diotec Semiconductor |
DIF065SIC030 |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DIF065SIC030 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 105A TO-247-4
Description: SICFET N-CH 650V 105A TO-247-4
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1584.29 грн |
| 30+ | 968.40 грн |
| 60+ | 902.18 грн |
| 120+ | 794.45 грн |
| 510+ | 780.14 грн |
| DIF065SIC030 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs 650V TO-47-4L, N, 105A, 650V, 0m?, 175C
SiC MOSFETs 650V TO-47-4L, N, 105A, 650V, 0m?, 175C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1760.18 грн |
| 10+ | 1026.05 грн |
| 120+ | 837.37 грн |
| 510+ | 822.01 грн |
| DIF065SIC030 |
|
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIF065SIC030 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIF065SIC030 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
DIF065SIC030
DIF065SIC030
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2575.22 грн |
| 7+ | 2181.80 грн |
| 10+ | 1934.50 грн |