Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIF120SIC022-AQ
DIF120SIC022-AQ

DIF120SIC022-AQ Diotec Semiconductor

dif120sic022.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4384.12 грн
30+3167.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIF120SIC022-AQ Diotec Semiconductor

Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +18V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DIF120SIC022-AQ за ціною від 3651.06 грн до 16808.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ Виробник : DIOTEC 4397176.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16240.76 грн
5+14468.88 грн
10+12697.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16808.00 грн
10+12952.78 грн
120+6755.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3651.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4381.27 грн
120+4164.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf DIF120SIC022-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+6178.97 грн
3+5691.89 грн
10+5366.53 грн
30+4704.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf DIF120SIC022-AQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.