Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIF120SIC022-AQ
DIF120SIC022-AQ

DIF120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

dif120sic022.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain current: 85A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Gate charge: 269nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3956.62 грн
5+3435.80 грн
30+3213.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIF120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +18V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DIF120SIC022-AQ за ціною від 3310.83 грн до 16602.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4509.06 грн
30+3310.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+16602.64 грн
10+12795.00 грн
120+6672.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ DIOTEC 4397176.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ Diotec Electronics dif120sic022.pdf DIF120SIC022-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6783.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ dif120sic022.pdf
DIF120SIC022-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4509.06 грн
30+3310.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ dif120sic022.pdf
DIF120SIC022-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+16602.64 грн
10+12795.00 грн
120+6672.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ 4397176.pdf
DIF120SIC022-AQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ dif120sic022.pdf
Виробник: Diotec Electronics
DIF120SIC022-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6783.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.