Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIF120SIC022-AQ
DIF120SIC022-AQ

DIF120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3739.04 грн
30+3383.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIF120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +18V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DIF120SIC022-AQ за ціною від 3236.81 грн до 17093.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4479.74 грн
30+3236.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 269nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4486.85 грн
30+4215.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ Виробник : DIOTEC 4397176.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16658.50 грн
5+14841.04 грн
10+13023.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17093.30 грн
10+13173.13 грн
120+6869.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf DIF120SIC022-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+6331.03 грн
3+5831.26 грн
10+5497.44 грн
30+4819.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf DIF120SIC022-AQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.