DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1750.55 грн |
| 2+ | 1536.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DIF120SIC022 за ціною від 1823.91 грн до 7308.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DIF120SIC022 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 269nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 250A Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DIF120SIC022 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A, Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DIF120SIC022 | Виробник : Diotec Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DIF120SIC022 | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| DIF120SIC022 | Виробник : Diotec Semiconductor |
DIF120SIC022 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|