Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIF120SIC022
DIF120SIC022

DIF120SIC022 Diotec Semiconductor

dif120sic022.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4817 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1945.02 грн
30+1216.07 грн
120+1169.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIF120SIC022 Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DIF120SIC022 за ціною від 1736.18 грн до 3842.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DIF120SIC022 DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR dif120sic022.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2431.36 грн
5+1914.44 грн
30+1736.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 DIF120SIC022 Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 DIF120SIC022 DIOTEC 4397176.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 Diotec Electronics dif120sic022.pdf DIF120SIC022
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3842.66 грн
5+3472.79 грн
10+3289.67 грн
30+2780.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 dif120sic022.pdf
DIF120SIC022
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2431.36 грн
5+1914.44 грн
30+1736.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 dif120sic022.pdf
DIF120SIC022
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 4397176.pdf
DIF120SIC022
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 dif120sic022.pdf
Виробник: Diotec Electronics
DIF120SIC022
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+3842.66 грн
5+3472.79 грн
10+3289.67 грн
30+2780.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.