Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIF120SIC028
DIF120SIC028

DIF120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR

dif120sic028.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2088.49 грн
5+1674.82 грн
10+1513.14 грн
30+1410.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIF120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції DIF120SIC028 за ціною від 1380.08 грн до 3051.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DIF120SIC028 DIF120SIC028 Diotec Semiconductor dif120sic028.pdf Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 118A,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 373 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25mA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 80A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2218.56 грн
30+1403.77 грн
120+1380.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 DIF120SIC028 Diotec Semiconductor dif120sic028.pdf SiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC dif120sic028.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 Diotec Electronics dif120sic028.pdf DIF120SIC028
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3051.44 грн
10+2913.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 dif120sic028.pdf
DIF120SIC028
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 118A,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5691 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 373 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25mA
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 80A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2218.56 грн
30+1403.77 грн
120+1380.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 dif120sic028.pdf
DIF120SIC028
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 dif120sic028.pdf
DIF120SIC028
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 dif120sic028.pdf
Виробник: Diotec Electronics
DIF120SIC028
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3051.44 грн
10+2913.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.