Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIF120SIC053-AQ
DIF120SIC053-AQ

DIF120SIC053-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1542.66 грн
2+1354.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIF120SIC053-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DIF120SIC053-AQ за ціною від 1272.18 грн до 6521.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf Description: MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1793.58 грн
30+1272.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1851.19 грн
2+1687.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf SiC MOSFETs
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6394.51 грн
10+4927.88 грн
120+2570.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ Виробник : DIOTEC 4397180.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6521.93 грн
5+5810.00 грн
10+5098.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf DIF120SIC053-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3226.78 грн
5+2901.81 грн
10+2682.12 грн
30+2473.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf DIF120SIC053-AQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.