DIF120SIC053 Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec SemiconductorDescription: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 747.05 грн |
| 30+ | 427.06 грн |
| 120+ | 362.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIF120SIC053 Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +18V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції DIF120SIC053 за ціною від 640.59 грн до 3069.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIF120SIC053 | Виробник : Diotec Semiconductor |
SiC MOSFETs |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DIF120SIC053 | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DIF120SIC053 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 278W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DIF120SIC053 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 278W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DIF120SIC053 | Виробник : Diotec Semiconductor |
DIF120SIC053 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|