Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIF120SIC053
DIF120SIC053

DIF120SIC053 DIOTEC SEMICONDUCTOR

dif120sic053.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+720.57 грн
5+647.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIF120SIC053 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DIF120SIC053 за ціною від 365.01 грн до 1273.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DIF120SIC053 DIF120SIC053 Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.69 грн
30+428.42 грн
120+365.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 DIF120SIC053 Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf SiC MOSFETs
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 DIF120SIC053 DIOTEC 4397180.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 Diotec Electronics dif120sic053.pdf DIF120SIC053
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1273.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 dif120sic053.pdf
DIF120SIC053
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+744.69 грн
30+428.42 грн
120+365.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 dif120sic053.pdf
DIF120SIC053
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 4397180.pdf
DIF120SIC053
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 dif120sic053.pdf
Виробник: Diotec Electronics
DIF120SIC053
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1273.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.