DIF120SIC053

DIF120SIC053 Diotec Semiconductor


dif120sic053.pdf Виробник: Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+726.57 грн
30+415.35 грн
120+352.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIF120SIC053 Diotec Semiconductor

Description: SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 65A, 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +18V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції DIF120SIC053 за ціною від 622.26 грн до 3089.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIF120SIC053 DIF120SIC053 Виробник : DIOTEC 4397180.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2985.05 грн
5+2659.89 грн
10+2333.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 DIF120SIC053 Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf SiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3089.86 грн
10+2380.74 грн
120+1241.83 грн
510+1229.32 грн
1020+1191.07 грн
2520+1052.76 грн
5010+989.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR dif120sic053.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+932.57 грн
2+659.05 грн
3+658.28 грн
4+623.03 грн
30+622.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 Виробник : Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf DIF120SIC053
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1042.11 грн
13+985.65 грн
30+897.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR dif120sic053.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1119.09 грн
2+821.28 грн
3+789.94 грн
4+747.64 грн
30+746.72 грн
120+737.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.