DIT050N06 Diotec Semiconductor
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 366+ | 34.88 грн |
| 382+ | 33.48 грн |
| 500+ | 32.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT050N06 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DIT050N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DIT050N06 за ціною від 20.15 грн до 106.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DIT050N06 | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DIT050N06 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DIT050N06 | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIT050N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DIT050N06 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm |
на замовлення 931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DIT050N06 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DIT050N06 | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 60V, 50A, 175C, N |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DIT050N06 | Виробник : Diotec Semiconductor |
DIT050N06 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
DIT050N06 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DIT050N06 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO220AB N 60V 0.014OHM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |