DIT080N08-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 51A; Idm: 480A; 62.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 85V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 126.39 грн |
| 5+ | 105.54 грн |
| 11+ | 85.46 грн |
| 30+ | 80.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT080N08-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DIT080N08-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 85 V, 110 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DIT080N08-AQ за ціною від 94.52 грн до 257.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DIT080N08-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 51A; Idm: 480A; 62.5W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 85V Drain current: 51A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 62.5W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DIT080N08-AQ | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIT080N08-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 85 V, 110 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DIT080N08-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-220AB N 80V 80A Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3742 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DIT080N08-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 80V, 80A, 150C, N, AEC-Q101 |
товару немає в наявності |