DIT080N08-AQ DIOTEC
Виробник: DIOTECDescription: DIOTEC - DIT080N08-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 85 V, 110 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 256.49 грн |
| 10+ | 224.33 грн |
| 100+ | 186.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT080N08-AQ DIOTEC
Description: DIOTEC - DIT080N08-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 85 V, 110 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DIT080N08-AQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DIT080N08-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
DIT080N08-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-220AB N 80V 80A Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3742 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
DIT080N08-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 80V, 80A, 150C, N, AEC-Q101 |
товару немає в наявності |