DIT090N06 Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 65V 0.0057OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Description: MOSFET TO220AB N 65V 0.0057OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 75.55 грн |
50+ | 58.68 грн |
100+ | 46.51 грн |
500+ | 37 грн |
1000+ | 30.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT090N06 Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 65V 0.0057OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DIT090N06 за ціною від 30.33 грн до 136.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIT090N06 | Виробник : Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, TO-220AB, 65V, 90A, 175C, N |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DIT090N06 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Heatsink thickness: max. 1.2mm Power dissipation: 160W Drain-source voltage: 65V Drain current: 62A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 94nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 310A |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DIT090N06 | Виробник : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 65V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DIT090N06 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Heatsink thickness: max. 1.2mm Power dissipation: 160W Drain-source voltage: 65V Drain current: 62A On-state resistance: 5.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 94nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 310A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 837 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DIT090N06 Код товару: 188342 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
DIT090N06 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 65V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |