DIT100N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR


dit100n10.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.87 грн
10+83.10 грн
50+68.97 грн
100+63.98 грн
500+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIT100N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції DIT100N10 за ціною від 44.73 грн до 177.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DIT100N10 DIT100N10 Diotec Semiconductor dit100n10.pdf Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
50+80.22 грн
100+72.03 грн
500+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIT100N10 DIT100N10 Diotec Semiconductor dit100n10.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.19 грн
10+85.74 грн
100+65.31 грн
500+53.43 грн
2500+45.56 грн
5000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIT100N10 dit100n10.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.08 грн
50+80.22 грн
100+72.03 грн
500+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIT100N10 dit100n10.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.19 грн
10+85.74 грн
100+65.31 грн
500+53.43 грн
2500+45.56 грн
5000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.