DIT100N10 Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.88 грн |
| 50+ | 67.77 грн |
| 100+ | 61.46 грн |
| 500+ | 47.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT100N10 Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DIT100N10 за ціною від 44.60 грн до 166.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIT100N10 | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| DIT100N10 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT100N10-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 715 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|