DIT100N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Gate charge: 85nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 9.9mΩ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 168.24 грн |
| 10+ | 91.69 грн |
| 50+ | 72.17 грн |
| 100+ | 65.37 грн |
| 500+ | 55.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT100N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції DIT100N10 за ціною від 52.89 грн до 193.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIT100N10 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DIT100N10 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| DIT100N10 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
Description: MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 50 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.74 грн |
| 10+ | 110.11 грн |
| 50+ | 83.66 грн |
| 100+ | 70.50 грн |
| 500+ | 56.44 грн |
| DIT100N10 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 100V, 100A, 175C, N
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.11 грн |
| 10+ | 71.03 грн |
| 100+ | 56.65 грн |
| 500+ | 52.89 грн |