DIT120N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Gate charge: 163nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 450A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.67 грн |
| 10+ | 84.14 грн |
| 50+ | 73.13 грн |
| 100+ | 68.41 грн |
| 250+ | 62.12 грн |
| 500+ | 57.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT120N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET TO220AB N 80V 0.0049OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DIT120N08 за ціною від 50.80 грн до 199.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DIT120N08 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO220AB N 80V 0.0049OHMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V |
на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DIT120N08 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB Case: TO220AB Gate charge: 163nC Heatsink thickness: max. 1.2mm On-state resistance: 4.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 84A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 220W Pulsed drain current: 450A Kind of channel: enhancement Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 784 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DIT120N08 | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 80V, 120A, 175C, N |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DIT120N08 | Виробник : Diotec Electronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DIT120N08 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
