
DIT120N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Gate charge: 163nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 450A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 139.96 грн |
10+ | 77.98 грн |
18+ | 51.98 грн |
49+ | 49.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT120N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET TO220AB N 80V 0.0049OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DIT120N08 за ціною від 50.89 грн до 200.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DIT120N08 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIT120N08 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB Case: TO220AB Gate charge: 163nC Heatsink thickness: max. 1.2mm On-state resistance: 4.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 84A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 220W Pulsed drain current: 450A Kind of channel: enhancement Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 798 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIT120N08 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIT120N08 | Виробник : Diotec Electronics |
![]() |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DIT120N08 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |