
DIT150N03 Diotec Semiconductor
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
226+ | 6.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIT150N03 Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 30V 0.0023OHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DIT150N03 за ціною від 36.70 грн до 164.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DIT150N03 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DIT150N03 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm |
на замовлення 849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DIT150N03 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 849 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DIT150N03 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DIT150N03 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DIT150N03 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
DIT150N03 Код товару: 198104
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
DIT150N03 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |