Інші пропозиції DIT150N03 за ціною від 8.24 грн до 165.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DIT150N03 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DIT150N03 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
DIT150N03 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO220AB N 30V 0.0023OHMPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
на замовлення 857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DIT150N03 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 30V, 150A, 175C, N |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
DIT150N03 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIT150N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 3000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
DIT150N03 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| DIT150N03 | Diotec Electronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.29 грн |
| 92+ | 8.24 грн |
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 125.01 грн |
| 10+ | 71.14 грн |
| 50+ | 57.96 грн |
| 100+ | 53.23 грн |
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO220AB N 30V 0.0023OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Description: MOSFET TO220AB N 30V 0.0023OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.36 грн |
| 50+ | 66.46 грн |
| 100+ | 59.48 грн |
| 500+ | 44.30 грн |
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 30V, 150A, 175C, N
MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 30V, 150A, 175C, N
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIT150N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIT150N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: Diotec Electronics
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 86+ | 165.72 грн |
| 107+ | 132.85 грн |
| 117+ | 121.45 грн |
| 500+ | 90.14 грн |






