DIW040M120 DIOTEC
Виробник: DIOTECDescription: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 460.25 грн |
| 10+ | 401.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW040M120 DIOTEC
Description: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DIW040M120 за ціною від 246.28 грн до 1180.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIW040M120 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 337ns Turn-on time: 69ns |
на замовлення 432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DIW040M120 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 337ns Turn-on time: 69ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 432 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DIW040M120 | Виробник : Diotec Semiconductor | IGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0 |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|