DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Power dissipation: 330W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Turn-on time: 69ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 500.92 грн |
| 3+ | 421.19 грн |
| 10+ | 349.06 грн |
| 30+ | 286.05 грн |
| 60+ | 257.03 грн |
| 120+ | 248.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3, Collector current: 40A, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 160A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-off time: 337ns, Power dissipation: 330W, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Type of transistor: IGBT, Kind of package: tube, Mounting: THT, Gate charge: 330nC, Turn-on time: 69ns.
Інші пропозиції DIW040M120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DIW040M120 | Diotec Semiconductor | IGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0 |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DIW040M120 |
Виробник: Diotec Semiconductor
IGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
IGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)