DIW040M120

DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F1687B7922C0D6&compId=diw040m120.pdf?ci_sign=0ceed45e0fa4e0c722407c6c34edc424d3c985dd Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 330nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+397.01 грн
3+331.71 грн
4+259.40 грн
10+245.25 грн
450+235.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DIW040M120 за ціною від 282.98 грн до 1153.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIW040M120 DIW040M120 Виробник : DIOTEC 4397186.pdf Description: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+449.50 грн
10+391.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120 DIW040M120 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F1687B7922C0D6&compId=diw040m120.pdf?ci_sign=0ceed45e0fa4e0c722407c6c34edc424d3c985dd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 330nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.42 грн
3+413.36 грн
4+311.27 грн
10+294.30 грн
450+282.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120 DIW040M120 Виробник : Diotec Semiconductor IGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1153.29 грн
10+888.62 грн
120+463.33 грн
510+458.80 грн
1020+444.46 грн
2520+393.15 грн
5010+369.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.