Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIW040M120
DIW040M120

DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR

diw040m120.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 337ns
Turn-on time: 69ns
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+510.29 грн
3+422.68 грн
10+347.20 грн
30+290.17 грн
60+264.17 грн
120+251.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V, Verlustleistung: 330W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції DIW040M120

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DIW040M120 DIW040M120 Diotec Semiconductor IGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120 DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4397186.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
Verlustleistung: 330W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120
DIW040M120
Виробник: Diotec Semiconductor
IGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW040M120 4397186.pdf
DIW040M120
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V
Verlustleistung: 330W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.