DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 330nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 396.06 грн |
| 3+ | 330.91 грн |
| 4+ | 258.77 грн |
| 10+ | 244.66 грн |
| 450+ | 235.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DIW040M120 за ціною від 282.30 грн до 1150.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIW040M120 | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIW040M120 - IGBT, 80 A, 1.74 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.74V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DIW040M120 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3 Collector current: 40A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 330nC Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 69ns Turn-off time: 337ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 330W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DIW040M120 | Виробник : Diotec Semiconductor | IGBTs IGBT, TO-247-3L, 1200V, 40A, 160A, 0 |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|