DIW050F065 Diotec Semiconductor
Виробник: Diotec SemiconductorDescription: IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 350 W
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.13 грн |
| 30+ | 152.92 грн |
| 120+ | 128.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW050F065 Diotec Semiconductor
Description: IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 38 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/125ns, Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 78 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 350 W.
Інші пропозиції DIW050F065 за ціною від 100.15 грн до 526.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIW050F065 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 168ns Turn-off time: 245ns |
на замовлення 567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DIW050F065 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 168ns Turn-off time: 245ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 567 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DIW050F065 | Виробник : Diotec Semiconductor |
IGBTs IGBT, TO-247-3L, 650V, 50A, 300A, 0 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 303-312 дні (днів) |
|