DIW065SIC015 DIOTEC SEMICONDUCTOR


diw065sic015.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 16mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Gate charge: 236nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1807.22 грн
5+1543.82 грн
30+1445.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIW065SIC015 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -4...15V, Kind of package: tube, On-state resistance: 16mΩ, Pulsed drain current: 300A, Power dissipation: 550W, Gate charge: 236nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 100A, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції DIW065SIC015

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DIW065SIC015 DIW065SIC015 Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW065SIC015
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.