DIW065SIC015 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 236nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1845.13 грн |
| 5+ | 1576.20 грн |
| 30+ | 1475.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW065SIC015 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 300A, Power dissipation: 550W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -4...15V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 236nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: SiC.
Інші пропозиції DIW065SIC015
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
DIW065SIC015 | Diotec Semiconductor | SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DIW065SIC015 |
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


