DIW065SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 550W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1158.98 грн |
| 5+ | 927.78 грн |
| 10+ | 853.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW065SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -5...18V, Kind of package: tube, On-state resistance: 50mΩ, Pulsed drain current: 135A, Power dissipation: 550W, Gate charge: 128nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 48A, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DIW065SIC049
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DIW065SIC049 | Diotec Semiconductor | SiC MOSFETs |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DIW065SIC049 |
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
SiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)