DIW065SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 550W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 128nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 135A
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1031.47 грн |
| 5+ | 797.33 грн |
| 10+ | 712.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW065SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 48A, Power dissipation: 550W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -5...18V, On-state resistance: 50mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 128nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 135A, Kind of package: tube.
Інші пропозиції DIW065SIC049 за ціною від 481.54 грн до 1076.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIW065SIC049 | Diotec Semiconductor | SiC MOSFETs |
на замовлення 450 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| DIW065SIC049 |
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
SiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1076.57 грн |
| 10+ | 669.25 грн |
| 120+ | 501.33 грн |
| 510+ | 482.28 грн |
| 1020+ | 481.54 грн |