DIW065SIC080 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 487.59 грн |
| 3+ | 349.79 грн |
| 8+ | 330.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW065SIC080 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 26A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 175W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -5...18V, On-state resistance: 75mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 75nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DIW065SIC080 за ціною від 386.73 грн до 585.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DIW065SIC080 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 175W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|