| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 652.38 грн |
| 10+ | 397.70 грн |
| 120+ | 293.54 грн |
| 510+ | 253.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW065SIC080 Diotec Semiconductor
Description: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 36A, 6, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 175W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +18V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 600 V.
Інші пропозиції DIW065SIC080 за ціною від 566.93 грн до 1152.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIW065SIC080 | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Description: SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 36A, 6Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +18V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 600 V |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|