DIW065SIC080 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 525.26 грн |
| 3+ | 337.90 грн |
| 8+ | 319.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW065SIC080 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W, Mounting: THT, Case: TO247-3, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 26A, On-state resistance: 75mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 175W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 75nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -5...18V, Pulsed drain current: 100A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DIW065SIC080 за ціною від 383.47 грн до 630.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DIW065SIC080 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 175W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 75nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|