DIW085N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR


diw085n06.pdf Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.69 грн
6+211.05 грн
15+199.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIW085N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET TO-247-3L N 65V 85A, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3704 pF @ 34 V.

Інші пропозиції DIW085N06

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIW085N06 Виробник : Diotec Semiconductor diw085n06.pdf Description: MOSFET TO-247-3L N 65V 85A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3704 pF @ 34 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW085N06 DIW085N06 Виробник : Diotec Semiconductor diw085n06.pdf MOSFETs MOSFET, TO-247-3L, 65V, 85A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.