DIW120SIC023-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 45nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4956.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW120SIC023-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DIW120SIC023-AQ за ціною від 4713.91 грн до 6819.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DIW120SIC023-AQ | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 100A On-state resistance: 29mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 600W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 45nC Technology: SiC Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 260A Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DIW120SIC023-AQ | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-247-3L N 130A 1200V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DIW120SIC023-AQ | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|