DIW120SIC059-AQ

DIW120SIC059-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEAFE8D1D9CD3C60D6&compId=diw120sic059.pdf?ci_sign=a5a6afa95cc616e12d9a4fb93903f3e3b22d2036 Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 121nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1500.37 грн
2+1317.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIW120SIC059-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DIW120SIC059-AQ за ціною від 1484.72 грн до 6119.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIW120SIC059-AQ DIW120SIC059-AQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEAFE8D1D9CD3C60D6&compId=diw120sic059.pdf?ci_sign=a5a6afa95cc616e12d9a4fb93903f3e3b22d2036 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 121nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1800.44 грн
2+1641.60 грн
120+1564.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQ DIW120SIC059-AQ Виробник : DIOTEC 4397179.pdf Description: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1953.45 грн
5+1832.96 грн
10+1687.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQ DIW120SIC059-AQ Виробник : Diotec Semiconductor diw120sic059.pdf Description: MOSFET TO-247-3L N 65A 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 33A, 18V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1983.16 грн
30+1583.71 грн
120+1484.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW120SIC059-AQ DIW120SIC059-AQ Виробник : Diotec Semiconductor diw120sic059.pdf MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6119.65 грн
10+4715.79 грн
100+2459.38 грн
500+2435.11 грн
1000+2359.33 грн
2500+2085.66 грн
5000+1960.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.