DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
On-state resistance: 81mΩ
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Gate charge: 179nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 47A
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1458.10 грн |
| 5+ | 1212.17 грн |
| 10+ | 1086.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Drain-source voltage: 1.7kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -4...18V, Kind of package: tube, On-state resistance: 81mΩ, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 357W, Gate charge: 179nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 47A, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DIW170SIC049
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DIW170SIC049 | Diotec Semiconductor | SiC MOSFETs |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DIW170SIC049 |
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
SiC MOSFETs
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)