DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Gate charge: 179nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 47A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1609.21 грн |
| 5+ | 1224.28 грн |
| 10+ | 1085.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm.
Інші пропозиції DIW170SIC049 за ціною від 866.80 грн до 2690.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DIW170SIC049 | Diotec Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1700V 67A TO-247-3 |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DIW170SIC049 | Diotec Semiconductor |
SiC MOSFETs |
на замовлення 355 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DIW170SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 357W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| DIW170SIC049 | Diotec Semiconductor |
DIW170SIC049 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DIW170SIC049 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 67A TO-247-3
Description: SICFET N-CH 1700V 67A TO-247-3
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1724.28 грн |
| 30+ | 1055.85 грн |
| 60+ | 984.00 грн |
| 120+ | 866.80 грн |
| DIW170SIC049 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
SiC MOSFETs
на замовлення 355 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1847.67 грн |
| 10+ | 1079.79 грн |
| 120+ | 880.26 грн |
| 510+ | 867.47 грн |
| DIW170SIC049 |
|
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIW170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIW170SIC049 |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
DIW170SIC049
DIW170SIC049
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2690.33 грн |
| 7+ | 2372.90 грн |
| 10+ | 2097.41 грн |