DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 179nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1112.18 грн |
| 3+ | 976.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 47A, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 357W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 81mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 179nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DIW170SIC049 за ціною від 1216.59 грн до 1334.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DIW170SIC049 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 47A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -4...18V On-state resistance: 81mΩ Mounting: THT Gate charge: 179nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|