Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIW170SIC049
DIW170SIC049

DIW170SIC049 Diotec Semiconductor


Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1706.64 грн
10+1224.98 грн
120+955.43 грн
510+820.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIW170SIC049 Diotec Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: THT, Technology: SiC, Case: TO247-3, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: -4...18V, Gate charge: 179nC, On-state resistance: 81mΩ, Drain current: 47A, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 357W, Drain-source voltage: 1.7kV.

Інші пропозиції DIW170SIC049

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DIW170SIC049 DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw170sic049.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 179nC
On-state resistance: 81mΩ
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Drain-source voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC049 diw170sic049.pdf
DIW170SIC049
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...18V
Gate charge: 179nC
On-state resistance: 81mΩ
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 357W
Drain-source voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.