Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DIW170SIC070
DIW170SIC070

DIW170SIC070 Diotec Semiconductor

diw170sic070.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 1200 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1131.87 грн
30+674.59 грн
120+586.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DIW170SIC070 Diotec Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1700V 70A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 416W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 1200 V.

Інші пропозиції DIW170SIC070 за ціною від 557.79 грн до 1172.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIW170SIC070 DIW170SIC070 Виробник : Diotec Semiconductor diw170sic070.pdf SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175DegC
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1172.98 грн
10+983.83 грн
120+763.47 грн
510+557.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC070 Виробник : Diotec diw170sic070.pdf SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW170SIC070 DIW170SIC070 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR diw170sic070.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 45A; Idm: 140A; 416W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: SiC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 80nC
On-state resistance: 28mΩ
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 416W
Drain-source voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.