
DIW170SIC070 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 45A; Idm: 140A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1077.61 грн |
2+ | 702.73 грн |
4+ | 664.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW170SIC070 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 45A; Idm: 140A; 416W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 45A, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 416W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 28mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 80nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DIW170SIC070 за ціною від 797.05 грн до 1293.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DIW170SIC070 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 45A; Idm: 140A; 416W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 45A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|