Продукція > DIODES INC. > DMB53D0UDW-7
DMB53D0UDW-7

DMB53D0UDW-7 DIODES INC.

DIOD-S-A0009691669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.80 грн
500+8.18 грн
1000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMB53D0UDW-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMB53D0UDW-7 за ціною від 6.95 грн до 13.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMB53D0UDW-7 DMB53D0UDW-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009691669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+13.50 грн
70+11.86 грн
100+9.80 грн
500+8.18 грн
1000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
DMB53D0UDW-7 DMB53D0UDW-7 Виробник : Diodes Inc ds31675.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMB53D0UDW-7 DMB53D0UDW-7 Виробник : Diodes Incorporated ART-MMDT2222A-%231.jpg Description: MOSFET NMOS+NPN TRANS SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 45V NPN, 50V N-Channel
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Current Rating (Amps): 100mA PNP, 160mA N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, N-Channel
Applications: General Purpose
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMB53D0UDW-7 DMB53D0UDW-7 Виробник : Diodes Incorporated ART-MMDT2222A-%231.jpg MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.