Продукція > DIODES INC. > DMB53D0UDW-7
DMB53D0UDW-7

DMB53D0UDW-7 DIODES INC.

DIOD-S-A0009691669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMB53D0UDW-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm.

Інші пропозиції DMB53D0UDW-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMB53D0UDW-7 DMB53D0UDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMB53D0UDW-7 DIOD-S-A0009691669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMB53D0UDW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.