DMB53D0UDW-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 14.75 грн |
| 500+ | 10.36 грн |
| 1000+ | 6.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMB53D0UDW-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: NPN + n-MOSFET, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMB53D0UDW-7 за ціною від 6.48 грн до 29.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMB53D0UDW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMB53D0UDW-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: NPN + n-MOSFET Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMB53D0UDW-7 | Виробник : Diodes Inc |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DMB53D0UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET NMOS+NPN TRANS SOT-363Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 45V NPN, 50V N-Channel Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Current Rating (Amps): 100mA PNP, 160mA N-Channel Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, N-Channel Applications: General Purpose Supplier Device Package: SOT-363 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DMB53D0UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE |
товар відсутній |