Продукція > DIODES INC. > DMB53D0UV-7
DMB53D0UV-7

DMB53D0UV-7 DIODES INC.

DIOD-S-A0009689860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMB53D0UV-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.12 грн
500+14.19 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMB53D0UV-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMB53D0UV-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: NPN + n-MOSFET, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMB53D0UV-7 за ціною від 8.94 грн до 40.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMB53D0UV-7 DMB53D0UV-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009689860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMB53D0UV-7 - Leistungs-MOSFET, NPN + n-MOSFET, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: NPN + n-MOSFET
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.98 грн
25+33.26 грн
100+20.12 грн
500+14.19 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMB53D0UV-7 DMB53D0UV-7 Виробник : Diodes Inc ds31651.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plus PNP Transistor 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMB53D0UV-7 DMB53D0UV-7 Виробник : Diodes Incorporated BC847BV.jpg Description: MOSFET NMOS+NPN TRANS SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 45V NPN, 50V N-Channel
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Current Rating (Amps): 100mA PNP, 160mA N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, N-Channel
Applications: General Purpose
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMB53D0UV-7 DMB53D0UV-7 Виробник : Diodes Incorporated BC847BV.jpg MOSFETs N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.